?

Log in

No account? Create an account

August 31st, 2016

В ТАСС о ReRAM пишутЪ

Похоже дело Яровой живёт и побеждает. Вот намедни тассовка от 30 августа прошла, о том как в Сибири выдают обещание 1 ТВ модуль памяти осилить, как и достославная компания Crossbar уже в 2013 году делала, обещая в 2015 году их массовое производство запустить. Кучно смотрю пошло.

НОВОСИБИРСК, 30 августа. /ТАСС/. Ученые новосибирского Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН работают над созданием принципиально нового поколения флэш-памяти - способа хранения цифровой информации. Так называемая резистивная флэш-память будет работать в тысячу раз быстрее и в миллион раз надежнее, что увеличит долговечность флэш-накопителей и сократит частоту зарядки мобильных устройств, сообщил ТАСС главный научный сотрудник ИФП, доктор физико-математических наук Владимир Гриценко.
"Обычная флэш-память выдерживает порядка 10 тыс. циклов "запись-стирание", потом она деградирует, а резистивная память, которую мы разрабатываем, позволит делать в миллион раз больше циклов: микросхемы будут более надежными", - сказал он.

Profile

1500py470
1500py470

Latest Month

October 2019
S M T W T F S
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728293031  

Tags

Powered by LiveJournal.com