1500py470 (1500py470) wrote,
1500py470
1500py470

В ТАСС о ReRAM пишутЪ

Похоже дело Яровой живёт и побеждает. Вот намедни тассовка от 30 августа прошла, о том как в Сибири выдают обещание 1 ТВ модуль памяти осилить, как и достославная компания Crossbar уже в 2013 году делала, обещая в 2015 году их массовое производство запустить. Кучно смотрю пошло.

НОВОСИБИРСК, 30 августа. /ТАСС/. Ученые новосибирского Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН работают над созданием принципиально нового поколения флэш-памяти - способа хранения цифровой информации. Так называемая резистивная флэш-память будет работать в тысячу раз быстрее и в миллион раз надежнее, что увеличит долговечность флэш-накопителей и сократит частоту зарядки мобильных устройств, сообщил ТАСС главный научный сотрудник ИФП, доктор физико-математических наук Владимир Гриценко.
"Обычная флэш-память выдерживает порядка 10 тыс. циклов "запись-стирание", потом она деградирует, а резистивная память, которую мы разрабатываем, позволит делать в миллион раз больше циклов: микросхемы будут более надежными", - сказал он.
Tags: memory, semiconductors
Subscribe

Posts from This Journal “memory” Tag

  • Post a new comment

    Error

    default userpic

    Your reply will be screened

    Your IP address will be recorded 

    When you submit the form an invisible reCAPTCHA check will be performed.
    You must follow the Privacy Policy and Google Terms of use.
  • 19 comments